7 J1 K k' X$ t% v5 D' G7 j1 \- K2 K: h9 P f
2 z% {- c: i" O9 r3 Z
4 j* n4 D7 y$ }+ u2 C8 G' B; O& m
9 F* X' _4 k# P
- J& m; f0 l, mCache Memory
快取記憶體 |
|
" [, S5 i3 N$ ^9 ]3 o4 l$ U
: e. I0 X: F8 c, r% w' F4 e: Z6 @, d# ?) R+ z. \. m Y
3 Z9 O" x- K* p) k' h) V
* ]$ G. c, b, |# U1 u% Y* C
| 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。 |
 |
! H6 r2 L+ P1 k; D3 q
/ ~0 p C: l/ ?9 S" C/ M1 Y: p6 f
9 ]0 B5 r/ u' [2 e+ Y _: [
, t. G- l" }, K6 g1 r. ]8 H1 a; Q% c: I6 ]8 w$ F1 f1 L' w7 r! O
/ k9 X- i# G( A M; L. B
 | + z$ Z: _$ d8 ^1 g( Y
| |
6 t. l, D+ F2 Y, X( b
5 r4 j' m# z5 x1 E. P5 q
& F4 x) d- w6 b# M' g1 n) ~8 S
5 r( V# d/ Z! J. R* K7 X7 J0 ~& o3 W' E7 Z. ]9 W/ ?! P
0 I/ o* E% o9 e! I/ {. T* B
 | ) c _+ D3 V7 f, d# \. H
DDR
雙倍資料傳輸率 | | # Y& a- x: o/ `3 J+ ]
( Y* _3 a+ d- ?: _, I" |
: {# ^8 {5 _; ~/ t# R9 q
% ~3 I5 `8 t2 ^; I. N0 p8 P9 D
q+ B( B. v# `. s, I| DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。 |
|
- {- F' f* Q. c3 B8 _# Y/ z% f
6 ^" y% ?* [+ e3 x. Z8 v
. [2 O7 }: w/ J+ R
|. O( f% N4 G$ V- q
1 H! ~5 [4 f( B7 r; D* }) e | ' g( V/ s3 c. }3 i
| |
2 ~+ T( {0 i- n* b/ I$ P1 q6 M% R7 Q7 g1 _' J: a
2 F8 ^9 k6 J% y8 g5 c
7 H, M% k2 L# {3 W
' {3 y2 }8 ]+ I
0 W7 x9 H% {6 M9 u/ G4 Q | 2 \( k% w4 C* y5 p
DIMM
雙直列記憶體模組 | |
. \! f; r1 ], d7 R4 @8 C0 k( j/ n# y
0 s2 P/ }% n7 U1 u$ |& I
1 \) T/ q6 i& C# z1 u& H4 o& b1 r5 H/ Z* n- j0 g! }* S* v' `5 |% k
| DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。 |
|
: ?4 [1 s, S0 W- Z: X& { U
: |* r, y1 N" b- z2 h8 Z" `) [" m6 ?) x& c# Y
' _& u5 [0 f$ W$ ]! h' z/ U) {/ m. P/ ]- y7 {7 w
3 T9 W3 f5 A6 h+ N* O& ^
|
* i( r. f* W/ f2 G) W# x | |
1 J; d' J6 {( v8 m1 C6 X+ M# Q4 {
, l( d* d; X7 K4 b) G
$ y( H4 a6 P9 Z
% y7 m5 B9 I# r, v# P
0 C& o, p& P2 W
' C/ Q+ {9 h2 d* R# `# _: K+ @ |
+ Y, X0 \2 l& c! b$ p3 CDRAM
動態隨機存取記憶體 | |
5 o0 A# e# i8 `& ~6 v5 p, w+ u( a8 _7 L7 N4 r
, B. s/ h) U2 T @/ R9 \
) s# H, l# ~0 M, I. ?
6 `( q. F1 A) r' [8 k
| 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。 |
|
$ U- \ r8 F2 ^7 _
7 N; M5 L5 x& y W: v2 z
5 }* _: |) i- G1 w7 u$ q$ ~
$ R1 z& I' L' m2 L( u3 {3 F' o1 y* D3 s) y: X. ^( A" m0 _
* ?1 Z, l! ^4 I! ^. I7 z2 l |
) T) y @) j+ I. \! {' \! } | |
" p: q& V0 S3 E# s# Z: b
2 R8 ?. D+ }) J9 i& b, J
- d" U) f0 l% i# B, o) J
) v X( d* {7 G0 ?/ e& q" R$ b
& {, Q. y4 ^/ f% g2 h! g. b
" s8 K* V4 Y, h% z8 @ | 3 e, ` N1 `6 u
ECC
Error Checking and Correction |
|
8 j: I' f5 W0 R, z) r$ D3 N6 \. b
) e9 e, C8 e; H/ m, g
+ R& p- g# `' P/ |9 \' I' ]4 _' q" K/ W2 h4 }
| 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。 |
|
3 F" o8 v1 t. |
, j) g, `' }7 p& `
, n3 s# E9 C0 ~5 q) t9 ^* \/ Q& W; A0 U, T' a' l
7 k6 M) |8 Y# _ L4 M3 P- W! T$ `$ V, c% a
|
: W& e2 [' _0 r9 k9 L) H: I | |
8 U1 | ]' `" ]" ?. }6 @3 l1 u, ~7 F* C5 q
0 ^1 ~! |; ?* W) ~
6 V$ b$ o3 y9 |( }6 m9 \: [ [
& q8 W# k* _& w1 W8 r. ~( x8 S
| ; n4 ]8 Q' T1 D
EDO DRAM
EDO動態存取記憶體 |
|
- v3 d- F. x3 {# C: [0 M# n( h1 o2 n
. m6 B' g" ~! |' p8 x# C6 g
* k% G/ h) \" j1 W. k6 ^4 J
F* y( Y, s, H1 v- v5 q7 Z3 H| EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。 |
|
0 |7 q( G& D, f6 T) m) \$ X( E
5 o( E+ ~, M- |' B5 }: P4 g% M
+ S: _2 N$ c. \1 ]: E& G X" N7 B# S0 p; X6 y
: M. C9 B* A! ?4 Z
; \0 {& x ~' i: n, P$ d4 N |
# x/ K* q2 R; a | |
: P) p0 }4 g8 _3 x6 u; p
" [, N' i G9 F. z
8 Y, n7 T; ?7 D8 Q9 T: K; H
1 {8 R! i$ y/ p" z$ y+ `) A3 j1 k, L
0 E) r6 t5 }* s4 Z4 N/ W+ @& W5 k4 b% D+ y$ u" d
| 9 h7 r9 A. @ e T! ^3 K
EEPROM
電子抹除式唯讀記憶體 |
| & y$ x# o0 i( u3 a4 ^
' n4 T% X) k9 |6 [+ T
. j: Y$ g+ B0 n5 G. J5 f1 R& F/ F+ ^3 i
" b/ K+ g+ d" E) q
| EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。 |
|
5 s* { G2 G/ K2 Q% a( }; V4 Q! ?$ v" B# i- \, x# v' _. F
. B% A3 i2 C' @% O& l
2 _) t1 i8 ?: {. Q" G
; E" @8 G* R/ q( J# Q- A% x' A) ~/ ~
|
, s1 G: x5 h( V# s2 [7 V | |
; o5 u8 p) k- D. x; h# ~6 }6 A- C) K
# |5 K" ~% K. m/ d
h/ N; U7 I! G5 A" O9 F0 \' `# L7 n7 o3 e
/ s k% F6 d% _. _
7 J; k/ n& o% b% J, h |
* O# V3 f" w0 s) u; kEPROM
抹除式唯讀記憶體 |
|
$ Q& E) k: ~$ r# Y! ~6 U, ~( N- s, i( s
9 i; H$ o. l; B6 g
! C' k# M8 G- ?% E! d1 {" }* t) m! E) _7 `& V- j
| EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。 |
|
9 z; S M4 N% C
( _6 P3 T. W7 N8 ?
( m# _+ Z3 g" m! D5 l& g7 Q+ O0 d: m4 @/ n) c1 X, e A G5 e4 {
9 R" d! P1 }! H% S
' B1 }$ s& K6 i& e1 T8 ?$ e |
' R2 E( H1 x! _3 u6 ?0 {1 x | |
, @; a- p8 T" K% @& Y
7 q+ [6 L, v) f8 E
/ h! h1 q0 B6 _
% h, v( s/ q1 b5 u7 @, f3 @" d. {$ m
; i$ r+ x: [2 S' a# }9 Z | 0 I. i0 _) O) Z* K- [7 f8 B% ]' H
Flash Memory
快閃記憶體 |
|
- O9 x/ n4 H; U* h+ y9 [: N$ b
@1 \1 A& f- c4 F: {# _( W! b: x/ z
J: k- b, W' p/ G- ]
" C# t+ y4 l# g+ P- o| 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。 |
|
$ e; `4 ^; f7 E& O- v. }# z0 R9 F( a& u& L5 x
2 i8 B% @7 O8 v2 U) s e) H2 D7 h/ t1 u* l9 N1 d q9 ~
5 J' S! Q; J$ Y' X( Q( n- L8 P6 l% N
|
; ?5 u& A7 e6 G! |$ a2 U9 J | |
- C: \. m6 m: G* ]; m3 u3 c% N' `1 C5 a. V+ {% j
8 }$ ^) w. w; E* _! @. x; O
% u( z8 N6 E) j2 ^1 Y3 u) s2 f \( I% b- L" q/ B
4 N$ m7 f7 B# `: X+ ?* ^ |
* A* x/ U9 I# t7 I/ IRAM
隨機存取記憶體 |
|
h5 G: A( O( D/ v0 ?
! I% p) W9 `9 ^6 h
( K2 Z, f* [6 Y% g! `
( U8 o% r" x; Z2 K B) ?+ g" y& | A# ^
| RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。 |
|
! A, ^6 H: R0 K# b" A: T- G# l* ]" S: Y8 M5 Y% D
" o6 |) G2 X1 ^; P
! A( O: l4 `7 D% z8 Z9 L8 T. v4 b. e& E# h& W( E( E
1 Y* f: x+ o: ]. r7 u- d- ~# L! N" j4 C | 9 t1 G5 z1 q0 ]8 K- w1 e) L! ? t
| |
U+ W( F& y% R& i
+ x- W2 q* x' y. W
- q% e: m W. ~9 K0 R' M
7 P: l# F8 U4 j" [- ~! R; k
7 I9 g* e% h0 F8 h& q) q8 O$ W, V9 a i5 g5 j2 B) z& R, I
|
1 w0 M/ X) E& e2 z1 a% T/ xRDRAM
動態隨機存取記憶體 |
|
6 S E4 m& A1 Q! v
- e. J# I; z7 \2 Y+ j. E% m! O
$ u( M' p' b( N3 C* z6 ^* A- j1 Z) w7 i0 N
8 S+ [5 \5 X; l6 T| RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。 |
|
; b; w( Z$ x! I8 S9 H$ F
/ J4 R) R) k: E4 X2 W/ }3 J4 E
' H3 H% o) o1 {# c2 M0 q
1 p' v3 h' g! e% V- O- [: K0 J! l; E: h
( i' |3 G2 R, I: d# G
0 r9 T$ W! X- y$ }$ s |
5 U$ w/ G$ w* H, V | |
% A- {; g/ | l% L! w5 F* L
* F& M; P# k6 g1 m3 J5 H2 R+ ^5 O5 G. D9 K# p
% k" ^5 h- a/ X) v& t) g4 }
4 ~. d l9 R* ~! R
4 I5 Y( X n2 @9 q& T0 L9 X+ G2 G( `
+ b2 ~1 X0 b1 [# g |
4 {! ^* e, [2 T [/ `& uROM
唯讀記憶體 |
| + c! i! M; [4 Z
2 j# i. ]5 b3 c) P" X' y; Z# o) F* U2 U
5 t) R0 i5 c0 [4 X" L, y7 ^- n; j$ S$ `: v. G
| Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。 |
|
% ~: y; |7 b; E# R, F4 o3 T7 j' b
. j+ l, r( N5 H4 E( e2 F. a. e" v* J' ~7 Z7 M
5 k# j2 e5 q* v* ]: [& \- W& m* b) j' f1 K
+ K5 F, C* I# e0 W# q |
3 d7 N8 d3 ?$ L( @ | |
8 b& J" ^- P5 d. n; i' C3 g# G9 P, V* d: v1 }6 L
& e4 I! f$ @ K# I2 M
; J/ ~: z7 K' w9 q- ^- c6 R2 h- P* G5 g2 Y, l# H- i1 U$ x9 z
V4 a# |5 i/ a) c' x3 [
| # {: K: G6 m; V
SDRAM
同步動態隨機存取記憶體 |
|
) R, e6 ?2 T J8 o/ o& X% T& H2 z7 w7 f) [' d
6 y# t2 @+ n, _; A0 c( l
" B- o7 w4 ^- n# x+ C) S) K
( a4 U; Z& ~) K G' \| SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。 |
|
5 ^' y- H8 c X) |
" Y. |) S. ]7 `$ U
" I' t+ d5 L+ {" c" c' Y" j) B
" n! m. X5 P7 A/ k3 g4 C i7 A) ^: B! y+ X$ E x9 `) m
+ _; X5 P2 V/ s1 g9 O |
, l: l' d3 _; S' S | |
* D2 ^) r) W% }3 @5 D; i
: b9 U, G: H4 `" u" Y
2 q, p8 R, \, ^. S8 Q8 @$ T& K# Z J
5 m4 T8 k9 w( q+ F" ]2 t% ^% \- z, I
$ |! ~0 O* q) x# n7 y7 _( d1 S | @4 R- f, b* I+ L0 m; p. o
SIMM
單直列記憶體模組 |
| 8 r0 ` b% i) x2 b( A
( T4 Q! O5 O2 D7 q9 Z% Z- V) J
% K" ~$ Q; F0 e$ Z0 x
% p' \ h. e' _! T+ k3 g; |0 g" P/ U: G- B
| SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。 |
|
l/ ]! H5 m& b& m( k# h! T
/ ?3 b# t9 |1 k+ |, D6 d
: x" w) }. ?0 W3 P& h
$ L* M' _- H/ f# T1 V9 V# F
9 L9 ?) @' R. h: f4 T& q
. K: t6 _* p, G) c: t: z9 R | ) N! Q+ T1 u( M8 Z: E5 D% B
| |
* k! `- j7 Z* F% P/ S+ X
) ] X: | b1 i/ q9 w
" J; \4 i' |2 x3 k* I2 |4 w r# w
- Q. f3 X: L) s% O, M
+ q% w: Q3 b) J- U+ W# c m3 X: @# H1 H
/ v9 L; M/ }" Z6 i; N/ M |
' O. `* M0 F9 F, S- K6 E: v, ?SRAM
動態隨機存取記憶體 |
|
% W& a* L5 w0 u3 [0 d
0 [. w' b: h; U: @2 M$ ]3 ]* T8 h2 D
$ [% j" S, b% f; k$ T( }8 F
( }: {3 t2 i: \ q' f& M
| SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。 |
|
u W) F4 B2 i
- S' a! w6 B' P% D; k1 W) G, R4 ~; {! D# [/ }9 c7 l1 o4 d! [
1 p0 d" D# R/ Z% z( U; N/ W) t, K
. l8 W- Z! f$ H) w, O+ V# E- x s8 p9 l( `: |1 I5 U
| * F8 G9 u* `& S' ~" V
| |
3 y, y% q3 ?. t9 c/ A9 z
4 F6 O z! N# I) x; k! [- V8 d# u
$ O- e! Z6 Z% O S6 z! f
& A9 q; y- q1 E6 V9 C1 e' T v" c9 t1 [9 R3 X
2 f/ Z$ u9 q* ]7 z( G
|
' J9 d% W7 ?! _! WVCM SDRAM
虛擬通道記憶體 |
|
9 X& d9 g) \4 ^: d, Q. `
; M, ?; w; f- z w- P: \
- K4 {9 ^* l$ J% I! S' V$ E5 ^% `3 A2 {" C- C! e% c
: ?3 z: F- ^: P! ]* b
| VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。 | |
IP卡
狗仔卡
發表於 2007-9-17 23:23:54
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
顯身卡
發表於 2008-2-26 10:10:11
